根据SG3525的DC／DC直流改换器的研讨

  跟着电能改换技能的开展，功率MOSFET在开关改换器中开端遍及的运用。为此，美国硅通用半导体公司推出了，以用于驱动N沟道功率MOSFET。是一种功用优秀、功用完全和通用性强的单片集成PWM操控芯片，它简略牢靠及运用起来更快捷灵敏，输出驱动为推拉输出方法，增加了驱动才干；内部含有欠压确定电路、软启动操控电路、PWM锁存器，有过流维护功用，频率可调，一起能约束最大占空比。其功用特色如下：

  5)死区时刻可调。为了习惯驱动快速场效应管的需求，末级选用推拉式作业电路，使开关速度更陕，末级输出或吸入电流最大值可达400mA。

  6)内设欠压确定电路。当输入电压小于8V时芯片内部确定，停止作业(基准源及必要电路在外)，使耗费电流降至小于2mA。

  7)有软启动电路。比较器的反相输入端即软启动操控端芯片的引脚8，可外接软启动电容。该电容器内部的基准电压Uref由恒流源供电，到达2．5V的时刻为t=(2．5V／50μA)C，占空比由小到大(50％)改动。

  8)内置PWM(脉宽调制)。锁存器将比较器送来的一切的跳动和振动信号消除。只要鄙人一个时钟周期才干从头置位，体系的牢靠性高。

  SG3525是定频PWM电路，选用原理16引脚规范DIP封装。其各引脚功用如图1所示，内部原理框图如图2所示。

  直流电源Vs从脚15接入后分两路，一路加到或非门；另一路送到基准电压稳压器的输入端，发生安稳的元器件作为电源。振动器脚5须外接电容CT，脚6须外接电阻RT。振动器频率厂由外接电阻RT和电容CT决议，

  振动器的输出分为两路，一路以时钟脉冲方法送至双稳态触发器及两个或非门；另一路以锯齿波方法送至比较器的同相输入端，比较器的反向输入端接差错放大器的输出，差错放大器的输出与锯齿波电压在比较器中作比较，输出一个随差错放大器输出电压凹凸而改动宽度的方波脉冲，再将此方波脉冲送到或非门的一个输入端。或非门的另两个输入端别离为双稳态触发器和振动器锯齿波。双稳态触发器的两个输出互补，替换输出凹凸电平，将PwM脉冲送至三极管VT1及VT2的基极，锯齿波的作用是参加死区时刻，确保VT1及VT2不一起导通。最终，VTl及VT2别离输出相位相差为180°的PWM波。

  本电源输入电压是由带阻隔变压器的+30V电源供给，图3是选用SG3525规划的DC―DC直流改换器原理图。功用指标是：输入电压为DC24～35V可调，输入标称电压为30V，输出为5V／lA。本体系由SG3525发生两路反向方波来操控MOSFET的导通与封闭，MOSFET驱动选用推挽方法，本规划在变压器的中心抽头参加30V直流电压，输出部分选用全波整流，在输出点上有分压电阻给TL431供给参阅电压，并经过光电阻隔反应到SG3525，以调理操控输出方波占空比来安稳输出电压。因为本规划选用推挽式功率改换电路，在输入回路中仅有一个开关的通态压降，而半桥和全桥电路有2个，因此在相同的条件下，发生的通态损耗较小，这种拓扑很合适输入电压较低的场合，这也是本规划为什么选用推挽改换器的原因。其间的变压器可一起完成直流阻隔和电压改换的功用，磁性元件数目较少，本钱较低。

  推挽改换器的高频变压器如图3中所示，原边和副边的绕组都别离有一个中心抽头。磁心参数挑选如下：

  变压器输入电压幅值Up1=24V，直流输出电压5V，串联二极管串联压降取0．6V，所以次级绕组电压幅值Up2取5．6V，最大作业比α=0．45，次级绕组峰值电流Ip2=1 A，次