上海维安半导体获得一项专利有利于进步产值削减相关本钱

  金融界 2024 年 8 月 28 日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，上海维安半导体有限公司获得一项名为“一种根据 P-型 SOI 衬底的 TVS 维护器材及其制造办法“，授权公告号 CN111029399B，请求日期为 2020 年 1 月。

  专利摘要显现，本发明一种根据 P‑型 SOI 衬底的 TVS 维护器材，选用 P‑型 SOI 衬底硅片，由金属结构封装，P‑型 SOI 衬底自下而上包含 P‑衬底、氧化埋层和 P‑层，有 IO 端、VCC 端、接地端三端，能够一起维护电路中的 IO 信号端和电源 VCC 端，P‑层上的降电容二极管一、二由正面的 P‑/N‑结构成，主 TVS8 管由反面的三个 N+/P‑衬底阵列构成。本发明在正面和反面一起制造器材，因而单个器材的地图面积较小，有利于进步产值，削减相关本钱，二个降电容二极管具有很低的电容值并彻底消除了衬底寄生电容，更适合在高频接口如 HDMI2.0、USB3.0 等高速端口运用。反面的 TVS 管能够经过更大的浪涌电流。

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