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瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET经过了车规级可靠性认证
发布时间:2024-10-21 10:59:16 作者: 火狐体育安卓版下载

  这3款产品导通电阻分别为25mΩ,40mΩ和60mΩ,且选用TO247-4封装,可耐受-55°C ~175°C作业时分的温度,一起因TO247-4封装具有开尔文源极引脚,而能明显减小

  瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品与工艺渠道是依托浙江瞻芯电子SiC晶圆厂开发的, 自2023年9月份发布第一款第二代SiC MOSFET产品以来,至今已有十几款选用同代技能渠道的量产产品。瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品,比照上一代产品,经过优化栅氧化层工艺和沟道规划,让器材的比导通电阻下降约25%,能逐渐下降器材损耗,提高体系功率。

  瞻芯电子选用TO247-4封装的车规级第二代650V SiC MOSFET系列新产品,因其具有高速开关,且低损耗,以及杰出的驱动兼容性等优异特性,而能为功率改换体系供给高频、高功率的解决方案,一般适用于下列场景:

  原文标题:瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品


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